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Wayon維安WGB065011 氮化鎵芯片 650 V E-mode GaN Transistor

Wayon維安WGB065011 氮化鎵芯片 650 V E-mode GaN Transistor

WGB065011是一種增強型硅上氮化鎵電源晶體管。氮化鎵的特性允許大電流,高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。WGB065011是一種底側(cè)冷卻晶體管,提...
產(chǎn)品概述


       WGB065011是一種增強型硅上氮化鎵電源晶體管。氮化鎵的特性允許大電流,高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。WGB065011是一種底側(cè)冷卻晶體管,提供非常低結(jié)到外殼的熱電阻要求高電力的應(yīng)用程序。這些功能結(jié)合起來提供非常高效率電源開關(guān)。
image.png       

WGB065011特性:

?650V增強型功率晶體管

?底部冷卻,小PDFN5060包裝

?RDS(on) = 150mΩ

?IDS(max) = 11A?超低FOM

?簡單門驅(qū)動要求(0V ~ 6V)

?瞬態(tài)容錯門驅(qū)動器(-20V / +10V)

?高切換頻率(> 1MHz)

?快速可控的升降時間

?反向傳導(dǎo)能力

?零反向恢復(fù)損失

?源感(SS)引腳優(yōu)化門驅(qū)動器

?符合RoHS 3(6+4)標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用程序?電源適配器

?LED照明驅(qū)動器

?電池快速充電

?功率因數(shù)校正

?家電電機驅(qū)動

?無線傳輸

?工業(yè)電源
image.png

       氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵應(yīng)用范圍廣泛,作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件,其下游應(yīng)用切中了“新基建”中5G基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵等主要領(lǐng)域。此外,氮化鎵的高效電能轉(zhuǎn)換特性,能夠幫助實現(xiàn)光伏、風(fēng)電(電能生產(chǎn)),直流特高壓輸電(電能傳輸),新能源汽車、工業(yè)電源、機車牽引、消費電源(電能使用)等領(lǐng)域的電能高效轉(zhuǎn)換,助力“碳達峰,碳中和”目標(biāo)實現(xiàn)。

  氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。


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