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深圳京柏微科技有限公司
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Power Schottky
“肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱(chēng)為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載流子二極管。
產(chǎn)品概述

技術(shù)參數(shù)
Features:
XXA Schottky barrier diode,
Schottky barrier rectifier,
Guarding protection,
Low forward voltage,
VRRM: Maximum repetitive peak reverse voltage
IF: Maximum average forward rectified current
IFSM: Peak forward surge current 8.3ms single half-sine-wave
VF: Maximum instantaneous forward voltage @IF=3.0A
IR: Maximum DC reverse current @VDC=25℃
肖特基二極管系列產(chǎn)品
| Part No. | VRRM(V) | IF(A) | IFSM(A) | VF@IF | IR(mA)@VRRM | Package | MPQ(pcs) | Data sheet |
|---|
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